IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon y IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH35N03LM5CGATMA1 IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,48
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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