IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5CGATMA1 par Infineon et IRFH8318TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH35N03LM5CGATMA1 IRFH8318TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $0,48
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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