IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IRFH8318TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon e IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH35N03LM5CGATMA1 IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,48
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Temperatura de operação — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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