IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE012N03LM5CGSCATMA1 por Infineon y ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 2 V (typical)
Encapsulado PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ max)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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