IQE022N06LM5CGATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE022N06LM5CGATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE022N06LM5CGATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 9 (with exposed thermal pad) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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