IQE022N06LM5CGATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE022N06LM5CGATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE022N06LM5CGATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 9 (with exposed thermal pad) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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