IQE022N06LM5CGATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE022N06LM5CGATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE022N06LM5CGATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 9 (with exposed thermal pad) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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