IR2010SPBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2010SPBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2010SPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,20 $1,05
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V —
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
Temperatura de funcionamiento -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
Encapsulado 16-SOIC (SOIC-16) SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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