IR2010SPBF vs IR2109SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2010SPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2010SPBF IR2109SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,20 $1,05
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V —
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
Température de fonctionnement -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
Boîtier 16-SOIC (SOIC-16) SOIC-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Temps de montée — 200 ns
Temps de descente — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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