IR2010SPBF vs IR2109SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2010SPBF от Infineon и IR2109SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2010SPBF IR2010SPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver 3A | Infineon

IR2010SPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver 3A | Infineon

IR2010SPBF ✓ Активен
Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2010SPBF IR2109SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,20 $1,05
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V —
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
Рабочая температура -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
Корпус 16-SOIC (SOIC-16) SOIC-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Время нарастания — 200 ns
Время спада — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Рабочая температура перехода — -40 C to +150 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену