IR2011STRPBF vs IRS2104STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2011STRPBF por Infineon y IRS2104STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2011STRPBF IRS2104STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,45
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) —
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns 150 ns
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topología — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +150C
Nivel MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
Estado RoHS — Compliant (PbF suffix)

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