IR2011STRPBF vs IRS2104STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2011STRPBF par Infineon et IRS2104STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2011STRPBF IRS2104STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,45
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) —
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns 150 ns
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +150C
Niveau MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
Statut RoHS — Compliant (PbF suffix)

Fiches techniques et ressources

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