IR2011STRPBF vs IRS2104STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2011STRPBF por Infineon e IRS2104STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2011STRPBF IRS2104STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,45
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) —
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns 150 ns
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologia — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Temperatura de junção de operação — -40C to +150C
Nível MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
Status RoHS — Compliant (PbF suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação