IR2101STRPBF vs IR2109STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon y IR2109STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101STRPBF IR2109STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,61
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulado 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (3.90 mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Nivel MSL MSL 3 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Número de salidas — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes

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