IR2101STRPBF vs IR2109STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon e IR2109STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2101STRPBF IR2109STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,61
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulamento 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (3.90 mm Width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Nível MSL MSL 3 —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Número de saídas — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes

Fichas técnicas e recursos

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