IR2101STRPBF vs IR2109STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2101STRPBF par Infineon et IR2109STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2101STRPBF IR2109STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,61
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Boîtier 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (3.90 mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Niveau MSL MSL 3 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Nombre de sorties — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes

Fiches techniques et ressources

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