IR21271STRPBF vs IR21271SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon y IR21271SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21271STRPBF IR21271SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $0,71
Configuration High-Side or Low-Side High-side, low-side capable (floating channel)
Número de salidas 1 —
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] —
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: fall time] —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C (industrial)
Estado RoHS — Compliant
Number of Channels — 1

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