IR21271STRPBF vs IR21271SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21271STRPBF par Infineon et IR21271SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21271STRPBF IR21271SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $0,71
Configuration High-Side or Low-Side High-side, low-side capable (floating channel)
Nombre de sorties 1 —
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C (industrial)
Statut RoHS — Compliant
Number of Channels — 1

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