IR21271STRPBF vs IR21271SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR21271STRPBF 제조: Infineon 및 IR21271SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR21271STRPBF IR21271SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.82 $0.71
Configuration High-Side or Low-Side High-side, low-side capable (floating channel)
출력 수 1 —
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
상승 시간 [DATA_NEEDED: rise time] —
하강 시간 [DATA_NEEDED: fall time] —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
동작 온도 범위 — -40C to +125C (industrial)
RoHS 상태 — Compliant
Number of Channels — 1

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