IR2181SPBF vs IR2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2181SPBF por Infineon y IR2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2181SPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,72 $0,68
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
Número de salidas 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Negative Transient on VS Tolerant —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) MSL 3
Estado RoHS Compliant Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)

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