IR2181SPBF vs IR2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2181SPBF par Infineon et IR2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2181SPBF IR2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $0,68
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
Nombre de sorties 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Negative Transient on VS Tolerant —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) MSL 3
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis