IR2181SPBF vs IR2101STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2181SPBF por Infineon e IR2101STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2181SPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,68
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
Número de saídas 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Negative Transient on VS Tolerant —
Temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulamento 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) MSL 3
Status RoHS Compliant Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)

Fichas técnicas e recursos

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