IRF2805PBF vs IRF640NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF2805PBF por Infineon y IRF640NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF2805PBF IRF640NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulado TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

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