IRF2805PBF vs IRF640NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF2805PBF par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF2805PBF IRF640NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Boîtier TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis