IRF2805PBF vs IRF640NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF2805PBF por Infineon e IRF640NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF2805PBF IRF640NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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