IRF5305STRRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF5305STRRPBF por Infineon y IRFR5305TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF5305STRRPBF IRFR5305TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,38
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

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