IRF5305STRRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF5305STRRPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF5305STRRPBF IRFR5305TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,38
Type de transistor P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fiches techniques et ressources

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