IRF530NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF530NSTRLPBF por Infineon y IRFZ44NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF530NSTRLPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A 49 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC 42 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (Advanced Process)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado — TO-220AB (3-pin + tab)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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