IRF530NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF530NSTRLPBF par Infineon et IRFZ44NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF530NSTRLPBF IRFZ44NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A 49 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC 42 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (Advanced Process)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier — TO-220AB (3-pin + tab)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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