IRF530NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF530NSTRLPBF por Infineon e IRFZ44NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF530NSTRLPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A 49 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC 42 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (Advanced Process)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — TO-220AB (3-pin + tab)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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