IRF7341GTRPBF vs IRF7103TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7341GTRPBF por Infineon y IRF7103TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7341GTRPBF IRF7103TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,76 $0,47
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Common Source, Dual Die
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) SO-8 (PG-DSO-8-902)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +150C (TJ)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
FET Type — Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
Nivel MSL — 1

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