IRF7341GTRPBF vs IRF7103TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7341GTRPBF par Infineon et IRF7103TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7341GTRPBF IRF7103TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,76 $0,47
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Common Source, Dual Die
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SO-8 (PG-DSO-8-902)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +150C (TJ)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
FET Type — Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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