IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7343TRPBF por Infineon y IRF7342PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7343TRPBF IRF7342PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
Tipo de transistor N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Encapsulado 8-SOIC (SO-8) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Encapsulado / Carcasa — 8-SOIC (SO-8)
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
Estado RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

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