IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7343TRPBF par Infineon et IRF7342PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7343TRPBF IRF7342PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
Type de transistor N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Boîtier 8-SOIC (SO-8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Boîtier / Format — 8-SOIC (SO-8)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
Statut RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Fiches techniques et ressources

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