IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7343TRPBF от Infineon и IRF7342PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7343TRPBF IRF7342PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
Тип транзистора N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Корпус 8-SOIC (SO-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Корпус / Типоразмер — 8-SOIC (SO-8)
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
Статус RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену