IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7343TRPBF por Infineon e IRF7342PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7343TRPBF IRF7342PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
Tipo de transistor N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Encapsulamento 8-SOIC (SO-8) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Encapsulamento / Caixa — 8-SOIC (SO-8)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
Status RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

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