IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7343TRPBF por Infineon y IRF7351TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7343TRPBF IRF7351TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
Tipo de transistor N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
Encapsulado 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Estado RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

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