IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7343TRPBF メーカー: Infineon および IRF7351TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7343TRPBF IRF7351TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.68
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
トランジスタタイプ N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
RoHS ステータス — Compliant (PBF suffix = lead-free)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼