IRF7351TRPBF vs IRF7343TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7351TRPBF por Infineon y IRF7343TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7351TRPBF IRF7343TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Encapsulado 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SOIC (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
Estado RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Part Status — Active
Tipo de transistor — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
RoHS Compliance — Compliant

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