IRF7351TRPBF vs IRF7343TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7351TRPBF par Infineon et IRF7343TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7351TRPBF IRF7343TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Boîtier 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Part Status — Active
Type de transistor — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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