IRF7832TRPBF vs IRF8736PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7832TRPBF por Infineon y IRF8736PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7832TRPBF IRF8736PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (junction)
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C — [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 4.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.0 mΩ (typical)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (optimized for 5 V drive)
Total Gate Charge Qg — 17 nC (typical)
Maximum Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — Lead-Free, RoHS3 Compliant
Qualification Standard — JEDEC
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage and current)

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