IRF7907TRPBF vs IRF7342TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7907TRPBF por Infineon y IRF7342TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7907TRPBF IRF7342TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,43 $0,48
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55 C to +150 C (Tj)
Encapsulado 8-SOIC (SO-8) 8-SOIC (SO-8), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) Tape and Reel (TR)
Estado RoHS Compliant —
Channel Polarity N-Channel (both) —
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

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