IRFB3306PBF vs IRF4905LPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB3306PBF por Infineon y IRF4905LPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB3306PBF IRF4905LPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,98
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C -55C to +150C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes Yes
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)

Hojas de datos y recursos

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