IRFB3306PBF vs IRF4905LPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB3306PBF par Infineon et IRF4905LPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB3306PBF IRF4905LPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,98
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C -55C to +150C
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Type de montage Through Hole Through Hole
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes Yes
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)

Fiches techniques et ressources

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