IRFB3306PBF vs IRF4905LPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB3306PBF por Infineon e IRF4905LPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB3306PBF IRF4905LPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,98
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C -55C to +150C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes Yes
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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