IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB7545PBF por Infineon y IRL2910STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB7545PBF IRL2910STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) HEXFET (Infineon/IR)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (Through-Hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montaje Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Nivel MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 55 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V — 26 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — Logic-level (1V-2V)
Total Gate Charge (Qg) — 93.3 nC
Power Dissipation @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation @ TC=25C — 200 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ)
Estado RoHS — Compliant
Sin halógenos — Compliant (per GlobalSpec)

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