IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB7545PBF par Infineon et IRL2910STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB7545PBF IRL2910STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) HEXFET (Infineon/IR)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (Through-Hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Type de montage Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Niveau MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 55 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V — 26 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — Logic-level (1V-2V)
Total Gate Charge (Qg) — 93.3 nC
Power Dissipation @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation @ TC=25C — 200 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (TJ)
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Compliant (per GlobalSpec)

Fiches techniques et ressources

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