IRFH5015TRPBF vs BSC0901NSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon y BSC0901NSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH5015TRPBF BSC0901NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulado 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ max) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Recuento de pines — 8
Nivel MSL — 1
Sin halógenos — Yes

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