IRFH5015TRPBF vs BSC0901NSIATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e BSC0901NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFH5015TRPBF | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,62 | $0,38 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| Encapsulamento | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Temperatura de operação | -55C to +150C (TJ max) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +150 C |
| Contagem de pinos | — | 8 |
| Nível MSL | — | 1 |
| Livre de halogênio | — | Yes |