IRFH5015TRPBF vs BSC0901NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5015TRPBF par Infineon et BSC0901NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5015TRPBF BSC0901NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Boîtier 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ max) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Nombre de broches — 8
Niveau MSL — 1
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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